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湿电子化学品G5级氢氟酸市场信息、生产工艺和发展前景

来源: 更新:2025-08-18 11:53:55 作者: 浏览:134次

一、市场信息

 

1. 市场规模与增长

G5级氢氟酸作为半导体制造核心材料,其市场与全球半导体产业高度绑定。2023年国内电子级氢氟酸产能约73.1万吨,但实际产量仅20.5万吨,产能利用率不足30%。随着半导体国产化加速,2025年规划新增产能超88万吨,总产能预计突破100万吨,其中G5级产品占比将显著提升。需求端,半导体领域受晶圆厂扩产驱动(如中芯国际12英寸晶圆产能2025年达600万片/月),需求年增20%以上;光伏领域因N型电池技术渗透率提升,2024年需求占比达45%。预计到2030年,全球G5级氢氟酸市场规模将突破300亿元,国产化率提升至50%以上。

2. 竞争格局与区域分布

- 国际厂商:日本关东化学、Stella,美国霍尼韦尔等仍主导高端市场,但份额逐步收缩。2025年国内产能中,外资企业占比55%,但本土企业通过技术突破,国产化率从2020年的18%提升至2025年的37%。

- 国内厂商:巨化股份(中巨芯)、多氟多、晶瑞电材等头部企业快速崛起。巨化股份电子级氢氟酸产能10万吨/年,客户覆盖中芯国际、长江存储;多氟多G5级产品纯度达99.9999%,市占率超30%。

- 区域集聚:长三角(浙江衢州、江苏南通)形成“萤石矿-氢氟酸-半导体材料”全产业链闭环,配套12英寸晶圆厂需求;珠三角依托广州粤芯、深圳中芯国际项目,需求占比预计从18%提升至2025年的25%。

3. 政策驱动

工信部“十四五”规划明确半导体材料进口替代率从15%提升至2025年的30%,《新材料产业发展指南》将电子级氢氟酸列为“关键战略材料”,中央及地方财政对G5级以上产线的设备投资补贴可达30%。国家制造业基金已向三家企业注资23亿元用于技术研发,预计2027年实现0.1ppt级金属杂质控制技术突破。

 

二、质量标准

 

1. 国际与行业标准

- SEMI分级:G5级对应SEMI C12标准,要求金属杂质≤0.1ppb,颗粒度<0.1μm,适用于0.09μm以下先进制程。随着制程升级至3nm以下,部分厂商已要求金属杂质≤0.01ppb(G5+级),颗粒控制达0.05μm。

- 国内进展:中巨芯、多氟多等企业已实现UP级(99.999%)量产,晶瑞电材2024年投产的5万吨项目将UPSSS级(超纯级)产品良率提升至92%,接近国际水平。

2. 检测与认证

生产过程需通过ICP-MS(电感耦合等离子体质谱)检测金属杂质,激光粒度仪检测颗粒大小。部分高端客户(如台积电)要求供应商通过ISO 14644-1 Class 5级洁净室认证,并提供批次稳定性报告(金属杂质波动≤±2%)。

 

三、生产工艺

 

1. 核心技术路径

- 原料提纯:以萤石(氟化钙)与浓硫酸反应生成粗氢氟酸,经多级精馏、膜分离、离子交换树脂处理等步骤去除杂质。例如,多氟多开发的“三级膜过滤+超临界结晶”技术,可将金属杂质控制在0.1ppb以下,并通过中芯国际14nm工艺验证。

- 洁净生产:生产需在ISO Class 5级洁净室中进行,避免二次污染。江西沃氟化工项目采用“二级钙盐混凝沉淀”处理废水,废气经四级水洗+脱硫岛处理,氟化物排放浓度≤5mg/m³,优于国家标准。

- 循环技术:格林达2026年建成的10万吨再生项目可将晶圆清洗废酸回收率提升至85%,降低半导体厂商30%原材料成本。

2. 技术挑战

- 萤石资源约束:国内萤石储量占全球20%,但高品位矿(CaF₂≥97%)占比不足10%,2025年进口依存度达41%,且价格波动(2024年同比上涨22%)直接影响生产成本。

- 设备与专利壁垒:高端精馏塔、超纯过滤膜等设备依赖进口,日本Stella的蒸馏提纯工艺仍主导高端市场。

 

四、发展可替代性与前景

 

1. 不可替代性

- 工艺刚需:氢氟酸在玻璃蚀刻、硅片清洗(如去除二氧化硅层)等环节具有不可替代性。干法蚀刻虽在先进制程中应用增加,但仅适用于特定结构(如高深宽比刻蚀),湿法工艺仍占半导体清洗环节70%以上份额。

- 材料特性:氢氟酸对硅氧化物的选择性腐蚀(腐蚀速率>1000Å/min)是其他酸类无法替代的,尤其在3nm以下制程中,其与臭氧混合液(SPM)仍是栅极清洗的标准工艺。

2. 替代技术动态

- 干法蚀刻:泛林半导体、东京电子等厂商的等离子体刻蚀设备在逻辑芯片领域占比超80%,但对复杂氧化物结构(如高k介质层)仍需湿法辅助。

- 其他酸类:磷酸、硫酸等在特定场景(如金属蚀刻)可部分替代,但无法满足高精度要求。例如,磷酸仅用于铝层蚀刻,而氢氟酸是硅片清洗的唯一选择。

3. 未来趋势

- 纯度升级:5nm及以下制程推动G5级向G6级(99.9999%)演进,单位价值量提升30%-40%。中巨芯、晶瑞电材等企业计划2026年量产G6级产品。

- 国产化加速:2025年国内G5级氢氟酸进口替代率将达45%,2030年有望突破70%。国家大基金二期注资22亿元支持湿电子化学品研发,重点突破12英寸晶圆用G5级产品及配套回收技术。

- 环保与循环:废酸回收率突破90%的循环技术普及,氟石膏综合利用(如制备水泥缓凝剂)将成为行业标配,降低对萤石资源的依赖。

 

五、风险与应对

 

1. 资源与成本风险

萤石价格波动(2024年同比上涨22%)和进口配额限制(蒙古2025年出口配额从72万吨降至50万吨)可能影响供应链稳定。企业通过垂直整合(如三美股份布局萤石矿-氢氟酸全产业链)和技术创新(如超临界CO₂萃取低品位萤石)降低风险。

2. 技术迭代压力

干法蚀刻设备(如中微公司5nm介质刻蚀机)的进步可能挤压湿法工艺空间,但氢氟酸在清洗环节的刚需性仍难以撼动。企业需加强与晶圆厂合作(如巨化股份与长江存储联合开发定制化蚀刻液),提升产品附加值。

 

结论:G5级氢氟酸市场在半导体国产化和先进制程升级驱动下,未来五年将维持15%以上增速。尽管面临资源约束和技术壁垒,但国内企业通过政策支持、技术突破和循环经济布局,有望在2030年前主导全球中高端市场。短期内,氢氟酸的不可替代性使其仍为湿电子化学品核心品类,长期需关注干法蚀刻技术对细分场景的渗透。

 

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